MRF8S7170NR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
TYPICAL CHARACTERISTICS
17.8
21
20.6
20.2
19.8
19.4
19
18.6
18.2
17
17.4
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
710
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 2. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 50 Watts Avg.
-- 1 5
-- 1 9
-- 2 3
?
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
?D
G
ps
, POWER GAIN (dB)
720 730 740 750 760 770 780 790
-- 2 7
PARC
PARC (dB)
ACPR (dBc)
Figure 3. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 10010
-- 6 0
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 5 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 4 0
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--U
VDD
=28Vdc,Pout
= 160 W (PEP), IDQ
= 1200 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 748 MHz
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 1
-- 4
-- 5
50
0
-- 2
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
30
90 110 130
30
60
50
55
45
?
D
?
DRAIN EFFICIENCY (%)
-- 1 d B = 4 2 W
?D
PARC
ACPR (dBc)
-- 5 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 3 5
-- 4 5
20
G
ps
, POWER GAIN (dB)
18.5
19.5
19
17.5
17
Gps
3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB
@ 0.01% Probability on
CCDF
34
-- 2 d B = 6 0 W
-- 3 d B = 9 6 W
VDD=28Vdc,Pout
=50W(Avg.),IDQ
= 1200 mA
Single--Carrier W--CDMA
IM7--L
35
-- 3 8
40
38
36
32
--35.5
-- 3 6
--36.5
-- 3 7
--37.5
-- 7
-- 11
-- 1
-- 1 . 5
-- 2
-- 2 . 5
0
-- 0 . 5
70
-- 3
40
-- 2 5
18
ACPR
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1200 mA
f = 748 MHz, Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
相关PDF资料
MRF8S9100HSR5 MOSFET RF N-CH 100W NI-780S
MRF8S9120NR3 FET RF N-CH 900MHZ QM780-2
MRF8S9170NR3 FET RF N-CH 900MHZ 28V OM780-2
MRF8S9200NR3 MOSFET RF N-CH 58W OM780-2
MRF8S9220HSR3 FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780S
MRF8S9260HSR3 FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-880HS
MRF9002NR2 MOSFET RF N-CHAN 26V 2W 16-PFP
MRF9030NBR1 IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2
相关代理商/技术参数
MRF8S7235N 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF8S7235NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 700MHZ OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S8260H 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF8S8260HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S8260HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S8260HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S8260HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9100HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 100W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray